Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (8)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Oksanich A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 4
Представлено документи з 1 до 4
1.

Klyui N. I. 
Tellurium effect on degradation stability of semiinsulating gallium arsenide crystals [Електронний ресурс] / N. I. Klyui, A. I. Liptuga, V. B. Lozinskii, A. P. Oksanich, S. E. Pritchin, F. V. Fomovskii, V. O. Yukhymchuk // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 11. - С. 1093-1097. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_11_10
Попередній перегляд:   Завантажити - 574.253 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Oksanich A. P. 
Effect of Porous GaAs Layer Morphology on Pd/porous GaAs Schottky Contact [Електронний ресурс] / A. P. Oksanich, S. E. Pritchin, M. G. Kogdas, A. G. Kholod, I. V. Shevchenko // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05007-1-05007-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_9
Досліджено структури GaAs:Sn і GaAs:Si, на яких формувався поруватий шар. Поруватий шар одержували шляхом електрохімічного анодування в HF:C2H5OH = 1:1 за часу анодування 3 хв і варіації струмів анодування в діапазоні 20 - 80 мА. До поруватого шару створювався контакт Шотгкі AgPd за допомогою методу електронно-променевого напилення, омічні контакти AgGePd до n<^>+-GaAs:Sn створювалися за допомогою методу електронно-променевого напилення з наступним відпалом. Показано, що збільшення щільності струму анодування призводить до підвищення нерівномірності структури поруватого шару, і за щільності струму більше 60 мА/см<^>2 спостерігається утворення кластерів, викликане фрагментарним відшаруванням поруватого шару від підкладки. Аналіз спектрів показав, що інтенсивність ФЛ збільшується з ростом поруватості. Показано, що даний ефект викликаний тим, що зі збільшенням пористості шару зменшується середній розмір мікропор і зменшується кількість GaAs, що залишився в шарі. Для визначення впливу морфології поруватого шару на параметри контакту Шотткі досліджено вольтамнерні характеристики структур. Показано, що зі збільшенням поруватості шару відмінність в характеристиках між структурою без поруватого шару GaAs та структур з поруватим шаром GaAs зростає, що проявляється у зниженні прямого струму і збільшенні зворотного, що пояснюється зменшенням товщини поруватого шару, і, як наслідок, зниженням щільності носіїв заряду. Визначено висоту бар'єру Шотткі для Pd/норуватий GaAs з різною морфологією і встановлено збільшення висоти бар'єру від 0,65 до 0,73 еВ зі збільшенням товщини поруватого шару. Встановлено, що збільшення товщини поруватого шару призводить до збільшення фактора ідеальності, який з ростом висоти шару збільшується від 1,24 до 1,7 і, як наслідок, призводить до погіршення параметрів контакту Шотткі.
Попередній перегляд:   Завантажити - 526.135 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Oksanich A. P. 
Effect of the Porous Silicon Layer Structure on Gas Adsorption [Електронний ресурс] / A. P. Oksanich, S. E. Pritchin, M. A. Mashchenko, A. Yu. Bobryshev // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 4. - С. 04020-1-04020-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_4_22
Досліджено вплив морфології і структури кристалітів пористого шару p-Si на адсорбцію сенсорів газу. Поруватий шар одержували за допомогою електрохімічного анодування за варіації струму анодування в діапазоні 10 - 60 мА і часу анодування в діапазоні 5 - 30 хв. Сенсори створювалися як структури p-Si: PdAu-Si:GeAuNiAu з використанням методу електронно-променевого напилення. За допомоогю методу оптичної мікроскопії досліджувалась поверхня поруватого шару і методом FTIR досліджено структуру кристалітів. Установлено, що режими анодування безпосередньо впливають на деформаційні коливання групи SiHx в діапазоні хвильових чисел 700 - 950 см<^>-1. На межах кристалітів виникають стискаючі напруги, які викликають зменшення зв'язку Si - O - Si в діапазоні хвильових чисел 1060 - 1160 см<^>-1. Показано ефект зростання впливу розтягувальних зв'язків SiHn і комплексів SiOxHy (піки поглинання 2116 см<^>-1 і 2340 см<^>-1 відповідно). Варіація часу анодування надає більш сильний вплив на структуру поруватого шару, ніж варіація струму анодування. Визначення адсорбційної чутливості поруватого шару проводилося по значенню відносної зміни провідності. Одержані дані надають змог зробити висновок про вплив режиму анодування на адсорбцію газових сенсорів, які корелюються з даними, одержаними за допомогою методу FTIR, для структури кристалітів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 585.154 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Gavrilchenko I. V. 
Luminescent Properties of Electrochemically Etched Gallium Arsenide [Електронний ресурс] / I. V. Gavrilchenko, Y. S. Milovanov, I. I. Ivanov, A. N. Zaderko, A. P. Oksanich, S. E. Pritchin, M. G. Kogdas, M. I. Fedorchenko, S. N. Goysa, V. A. Skryshevsky // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 4. - С. 04011-1-04011-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_4_13
Наведено результати структурних і фотолюмінесцентних (ФЛ) досліджень пористих шарів GaAs, що створюються шляхом електрохімічного травлення пластин GaAs. Структурні та морфологічні властивості пористого GaAs проаналізовано за методом СЕМ та за допомогою Оже-спектроскопії. При аналізі СEM зображень було показано наявність пористого шару глибиною близько 21 мкм, що складався з нерівномірно розподілених по поверхні мезо- та макропор і нанокристалітів. На деяких структурах було виявлено пірамідальні утворення висотою ~ 30 мкм. Виміри Оже-спектрів показали різну стехіометрію GaAs на пористих і кристалічних частинах зразків. Фотолюмінесценція утвореного матеріалу характеризувалася смугою випромінювання в області 1,5 - 3,2 еВ, причому спостерігалась залежність спектра ФЛ від довжини хвилі збуджуючого світла. Зі збільшенням довжини хвилі збуджуючого світла максимуми спектрів випромінювання зміщуються в область менших енергій. Така поведінка спектра ФЛ (зсув максимуму ФЛ залежно від довжини хвилі збуджуючого випромінювання) характерна для гетерогенних по товщині електрохімічно травлених пористих структур. Обговорено природу багатосмугового спектра ФЛ пористого GaAs за рахунок існування гідратованих оксидів арсену та галію на поверхні зразків та утворення нанокристалітів у пористих шарах GaAs. В роботі представлено оцінку можливих розмірів нанокристалітів у припущенні, що ФЛ створюється за рахунок квантово-розмірних ефектів.
Попередній перегляд:   Завантажити - 938.325 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського